김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 "올해 HBM 공급 규모는 비트(bit) 기준 전년 대비 3배 이상 지속적으로 늘려가고 있고, 해당 물량은 이미 공급사와 협의를 완료했다"며 "2025년에도 올해 대비 최소 2배 이상의 공급을 계획하고 있으며 고객사와 협의를 원활하게 진행 중"이라고 말했다.
특히 고용량 제품에 대한 수요 증가세에 맞춰 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품의 램프업(생산량 확대)을 가속화할 예정이다.
김 부사장은 "HBM3E 사업화는 고객사 타임라인에 맞춰 순조롭게 진행 중"이라며 "8단 제품은 이미 초기 양산을 개시했고, 빠르면 2분기 말부터 매출이 발생할 전망"이라고 말했다.
이어 "올해 하반기 HBM3E로의 급격한 전환을 통해 고용량 HBM 시장 선점에 주력하겠다"며 "HBM3E 비중은 연말 기준 HBM 판매 수량의 3분의 2 이상에 이를 것"이라고 말했다.
생성형 AI를 중심으로 메모리 수요가 늘어난 가운데 삼성전자는 고부가 HBM과 서버 SSD 비중을 늘리며 비트 출하량 확대보다는 평균판매단가(ASP) 개선을 통한 수익성 확보에 주력했다고 설명했다.
1분기 출하량의 경우 D램은 10% 중반, 낸드는 한 자릿수 초반 감소를 기록한 반면, ASP 상승 폭의 경우 D램은 20% 수준에 육박했고 낸드는 30% 초반을 기록해 시장 기대를 웃돌았다. 이에 따라 D램과 낸드 모두 흑자 전환에 성공했다.
김 부사장은 "ASP 상승에 따른 재고평가손 환입 영향으로 흑자 폭이 추가 개선됐다"며 "2분기에도 업황 개선에 따른 시장 전반의 가격 상승 추이가 지속될 것으로 예상되는 만큼 1분기와 동일한 기조로 사업을 운영할 계획"이라고 말했다.
하반기에도 메모리 수요는 회복세를 이어가겠지만, AI용 선단 제품의 수요가 급격히 증가하면서 메모리 공급은 더 타이트해질 것으로 봤다.
김 부사장은 "공급 관점에서 올해 업계 생산 비트그로스(bit growth·비트 단위로 환산한 생산량 증가율)는 제한적일 전망"이라며 "D램은 생성형 AI 수요 대응으로 선단 공정 생산능력(캐파)이 HBM에 집중되고 있어 그외 선단 제품은 비트그로스 제약이 예상된다"고 말했다.
이어 "낸드 역시 작년부터 이어진 업계의 시설투자(캐펙스·CAPEX) 제약과 기존 생산라인의 선단공정 전환 등 자연 감산 영향으로 비트그로스가 제한적일 것"이라고 덧붙였다.
김 부사장은 "최근 AI용 선단제품 수요가 급격히 증가하며 일부 선단제품 중심으로 공급이 수요를 따라가지 못하는 모습이 보인다. 연말로 갈수록 수급은 더욱 타이트해질 것"이라며 "DDR과 LPDDR 수익도 지속 개선될 것이고 낸드 서버 SSD 역시 수요가 급증하며 판매 확대와 ASP 상승에 따른 실적 개선이 전망된다"고 말했다.
삼성전자는 D램은 1b나노 32Gb(기가비트) DDR5 제품을 빠르게 도입하고, AI 서버와 연계된 고용량 DDR5 모듈 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화할 예정이다.
낸드는 V8 기반 Gen5 SSD 등을 통해 서버용 고부가가치 수요에 적극 대응하고, 3분기에 V9 QLC(Quadruple Level Cell) 양산을 통해 기술 리더십을 더욱 공고히 할 계획이다.
파운드리 사업부는 오는 6월 미국에서 삼성 파운드리 행사를 열고 파운드리 AI 기술 플랫폼 비전을 공개한다. 미국 테일러 공장의 첫 양산 시점은 2026년이 될 전망이다.